產(chǎn)學(xué)研合作-河南晶圓級FIB制樣TEM/SEM分析

【FinFET結(jié)構(gòu)原子級表征案例】

FinFET作為先進制程核心結(jié)構(gòu)，其柵極寬度與界面質(zhì)量直接影響芯片性能。通過DB-FIB制備FinFET超薄切片，利用TEM獲得原子級形貌與晶格圖像。案例顯示，我們成功解析了3nm芯片中Fin的側(cè)壁粗糙度、柵氧層厚度與界面缺陷，為客戶提供工藝優(yōu)化依據(jù)?！緩V電計量SEM/TEM測試服務(wù)】涵蓋晶圓級制造與失效分析，結(jié)合EDS進行成分映射，全面支撐高端芯片研發(fā)與量產(chǎn)。

【3D TEM法在芯片失效分析中的創(chuàng)新】
3D TEM法通過連續(xù)切片與圖像重構(gòu)，實現(xiàn)芯片缺陷的三維可視化。將DB-FIB與TEM結(jié)合，應(yīng)用于熱點、孔洞、裂紋等立體缺陷分析。案例中，我們通過該方法成功定位某一先進制程芯片的層間短路點，為客戶提供立體失效機制報告?！緩V電計量SEM/TEM測試服務(wù)】不僅提升分析深度，還縮短診斷周期，成為復(fù)雜故障排查的利器。

【熱敏感型TEM樣品框架結(jié)構(gòu)法制備】
針對鋰電材料、石墨烯電極等熱敏感樣品，新型框架結(jié)構(gòu)法DB-FIB制樣技術(shù)通過構(gòu)建支撐框架，避免離子束輻照導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)熔融或相變，確保超薄切片的完整性。該服務(wù)按小時計費，已成功應(yīng)用于多家新能源企業(yè)與科研機構(gòu)，推動新材料研發(fā)與性能優(yōu)化。【廣電計量SEM/TEM測試服務(wù)】