TEM/SEM分析-非定點截面加工檢驗

【非硅基材料FIB制樣與TEM分析】

除硅基芯片外，DB-FIB服務(wù)擴展至砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等非硅基材料。這類材料通常具有高硬度、熱敏感或易損傷特性，需按小時計費定制化制樣?！緩V電計量電鏡掃描測試】通過優(yōu)化離子束能量與掃描策略，實現(xiàn)精準(zhǔn)截面或平面加工，避免材料相變或結(jié)構(gòu)破壞。結(jié)合TEM分析，可解析界面缺陷、晶格畸變與成分分布，廣泛應(yīng)用于功率器件、光電子元件與新型半導(dǎo)體研發(fā)。廣電計量以技術(shù)積累與全流程管控，為客戶提供高適配性解決方案。

【產(chǎn)學(xué)研合作與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)貢獻(xiàn)】
積極與南京大學(xué)、上海交大等高校合作，聯(lián)合編寫《聚焦離子束：應(yīng)用與實踐》等專業(yè)著作，推動FIB技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化與普及。參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定，推動設(shè)備與材料國產(chǎn)化，構(gòu)建自主可控的檢測生態(tài)?！緩V電計量電鏡掃描測試】該合作不僅提升技術(shù)深度，還強化了在行業(yè)中的影響力與公信力。

【3nm國產(chǎn)芯片分析案例與行業(yè)影響】
近期，成功完成3nm國產(chǎn)手機處理器芯片的晶圓級FIB-TEM分析，解析其FinFET與金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)，助力客戶突破技術(shù)瓶頸。該案例彰顯我們在先進(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先能力，并獲得央視報道關(guān)注?！緩V電計量SEM/TEM測試服務(wù)】以原子級表征與全產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)，為中國半導(dǎo)體自主創(chuàng)新提供堅實支撐。