遼寧晶圓級(jí)FIB制樣TEM/SEM分析-超薄樣品切片服務(wù)

【先進(jìn)制程芯片F(xiàn)IB-TEM集成分析】

隨著芯片制程進(jìn)入7nm及以下節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)顯微技術(shù)難以滿(mǎn)足納米級(jí)結(jié)構(gòu)解析需求。通過(guò)DB-FIB制備超薄樣品，結(jié)合TEM實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨率成像與成分分析。服務(wù)重點(diǎn)針對(duì)金屬層、M0層、FinFET等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，用于工藝穩(wěn)定性驗(yàn)證、競(jìng)品分析與逆向工程?！緩V電計(jì)量電鏡掃描測(cè)試】擁有消除窗簾效應(yīng)、階梯減薄等專(zhuān)利技術(shù)，確保樣品無(wú)損與圖像清晰。該服務(wù)已成為國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)與設(shè)計(jì)公司不可或缺的技術(shù)支撐。

【熱敏感型TEM樣品框架結(jié)構(gòu)法制備】
針對(duì)鋰電材料、石墨烯電極等熱敏感樣品，新型框架結(jié)構(gòu)法DB-FIB制樣技術(shù)通過(guò)構(gòu)建支撐框架，避免離子束輻照導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)熔融或相變，確保超薄切片的完整性。該服務(wù)按小時(shí)計(jì)費(fèi)，已成功應(yīng)用于多家新能源企業(yè)與科研機(jī)構(gòu)，推動(dòng)新材料研發(fā)與性能優(yōu)化?！緩V電計(jì)量SEM/TEM測(cè)試服務(wù)】

【3nm國(guó)產(chǎn)芯片分析案例與行業(yè)影響】
近期，成功完成3nm國(guó)產(chǎn)手機(jī)處理器芯片的晶圓級(jí)FIB-TEM分析，解析其FinFET與金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)，助力客戶(hù)突破技術(shù)瓶頸。該案例彰顯我們?cè)谙冗M(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先能力，并獲得央視報(bào)道關(guān)注?！緩V電計(jì)量SEM/TEM測(cè)試服務(wù)】以原子級(jí)表征與全產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)，為中國(guó)半導(dǎo)體自主創(chuàng)新提供堅(jiān)實(shí)支撐。