上海晶圓級FIB制樣TEM/SEM分析-定位故障根源試驗

【DB-FIB TEM超薄樣品切片服務(wù)】

雙束聚焦離子束（DB-FIB）顯微鏡是制備透射電子顯微鏡（TEM）超薄樣品的核心工具?！緩V電計量SEM/TEM測試服務(wù)】針對硅基芯片提供截面（XS）與平面（PV）制樣服務(wù)，覆蓋14nm及以下先進(jìn)制程至55nm等傳統(tǒng)節(jié)點。通過高精度離子束濺射，我們實現(xiàn)納米級薄片切割，厚度可控制在100nm以內(nèi)，確保電子束穿透并獲取高分辨圖像。該服務(wù)廣泛應(yīng)用于芯片工藝驗證、缺陷定位與材料分析，尤其適用于FinFET、金屬互聯(lián)等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的表征。廣電計量擁有標(biāo)準(zhǔn)化流程與CNAS認(rèn)證平臺，保障制樣效率與數(shù)據(jù)可靠性，助力客戶突破制程瓶頸。

【FA熱點截面分析一站式服務(wù)】
失效分析（FA）中，熱點定位與截面表征是診斷芯片異常的關(guān)鍵。廣電計量集成OBIRCH等熱點抓取技術(shù)與DB-FIB截面加工，提供一站式分析服務(wù)?！緩V電計量SEM/TEM測試服務(wù)】通過離子束精準(zhǔn)切割熱點區(qū)域，結(jié)合SEM/TEM觀察，可揭示短路、漏電、層間缺陷等微觀問題。服務(wù)覆蓋Wafer、IC、MEMS、激光器等半導(dǎo)體器件，按小時計費，高效響應(yīng)客戶需求。我們憑借先進(jìn)制程經(jīng)驗與多方法融合能力，幫助客戶快速定位故障根源，提升產(chǎn)品良率與可靠性。

【3D TEM法在芯片失效分析中的創(chuàng)新】
3D TEM法通過連續(xù)切片與圖像重構(gòu)，實現(xiàn)芯片缺陷的三維可視化。將DB-FIB與TEM結(jié)合，應(yīng)用于熱點、孔洞、裂紋等立體缺陷分析。案例中，我們通過該方法成功定位某一先進(jìn)制程芯片的層間短路點，為客戶提供立體失效機(jī)制報告?！緩V電計量SEM/TEM測試服務(wù)】不僅提升分析深度，還縮短診斷周期，成為復(fù)雜故障排查的利器。

【FIB倒切法制備TEM樣品的創(chuàng)新實踐】
FIB倒切法是一種高效制備橫截面樣品的工藝，尤其適用于多層結(jié)構(gòu)芯片。通過倒切技術(shù)，精準(zhǔn)暴露目標(biāo)界面，避免正面加工帶來的損傷。該方法已應(yīng)用于先進(jìn)封裝、TSV通孔等場景，提升制樣效率與成功率?！緩V電計量電鏡掃描測試】持續(xù)優(yōu)化工藝參數(shù)，為客戶提供更經(jīng)濟(jì)、更快速的TEM制樣選擇。

【半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈檢測服務(wù)能力】
構(gòu)建從設(shè)計驗證、晶圓制造、封裝測試到終端應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈檢測平臺。通過DB-FIB與TEM技術(shù)，支持芯片全過程分析與可靠性提升，覆蓋“從圖紙到產(chǎn)品”的生命周期。服務(wù)獲CNAS、CMA權(quán)威認(rèn)可，項目數(shù)量行業(yè)領(lǐng)先，【廣電計量SEM/TEM測試服務(wù)】成為國內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)中不可或缺的第三方力量。

【3nm國產(chǎn)芯片分析案例與行業(yè)影響】
近期，成功完成3nm國產(chǎn)手機(jī)處理器芯片的晶圓級FIB-TEM分析，解析其FinFET與金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)，助力客戶突破技術(shù)瓶頸。該案例彰顯我們在先進(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先能力，并獲得央視報道關(guān)注?！緩V電計量SEM/TEM測試服務(wù)】以原子級表征與全產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)，為中國半導(dǎo)體自主創(chuàng)新提供堅實支撐。