南車晶閘管KP5-600-8電力分配質(zhì)量可靠

封裝外形

平板形

極數(shù)

二極

南車晶閘管KP5-600-8電力分配質(zhì)量可靠

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極：陽極、陰極和控制極。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個：陽，陰和門；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

晶閘管的種類：
1、按關斷、導通及控制方式分類：晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種；
2、按引腳和性分類：晶閘管按其引腳和性可分為二晶閘管、三晶閘管和四晶閘管；
3、按封裝形式分類：晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關斷速度分類：晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和（快速）晶閘管。

晶閘管通態(tài)電流上升率：元件通態(tài)電流上升率的臨界重復值。其對應不重復測試值為重復值的以上，在使用過程中，必須保證元件導通期時候的電流上升率都不能超過其重復值；
晶閘管元件的選擇：
正確地選擇晶閘管、整流管等電力電子器件對保證整機設備的可靠性及降低設備成本具有重要意義。元件的選擇要綜合考慮其使用環(huán)境、冷卻方式、線路型式、負載性質(zhì)等因素，在保證所選元件各參數(shù)具有裕量的條件下兼顧經(jīng)濟性。由于電力電子器件的應用領域十分廣泛，具體應用形式多種多樣。

晶閘管的工作原理：
1、晶閘管具有單向導電性：正向導通條件：A、K間加正向電壓，G、K間加觸發(fā)信號；
2、晶閘管一旦導通，控制失去作用：若使其關斷，必須降低UAK或加大回路電阻，把陽電流減小到維持電流以下；
晶閘管的結構：晶閘管由四層半導體材料構成，它有三個：陽，陰和門。晶閘管是在晶體管基礎上發(fā)展起來的一種大功率半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。